פּראָדוקטן

גאַז קריסטאַל

Gallium Selenide (GaSe) ניט-לינעאַר אָפּטיש איין קריסטאַל, קאַמביינינג אַ גרויס ניט-לינעאַר קאָואַפישאַנט, אַ הויך שעדיקן שוועל און אַ ברייט דורכזעיקייַט קייט.עס איז אַ זייער פּאַסיק מאַטעריאַל פֿאַר שג אין די מיטן יר.
ZGP(ZnGeP2) קריסטאַלז

זגפּ קריסטאַלז וואָס פאַרמאָגן גרויס ניט-לינעאַר קאָואַפישאַנץ (ד36 = 75 פּם / V), ברייט ינפרערעד דורכזעיקייַט קייט (0.75-12μם), הויך טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי (0.35 וו / (קם · ק)), הויך לאַזער שעדיקן שוועל (2-5 דזש / קמ2) און געזונט מאַשינינג פאַרמאָג, ZnGeP2 קריסטאַל איז גערופן דער מלך פון ינפרערעד ניט-לינעאַר אָפּטיש קריסטאַלז און איז נאָך דער בעסטער אָפטקייַט קאַנווערזשאַן מאַטעריאַל פֿאַר הויך מאַכט, טונאַבאַל ינפרערעד לאַזער דור.מיר קענען פאָרשלאָגן הויך אָפּטיש קוואַליטעט און גרויס דיאַמעטער זגפּ קריסטאַלז מיט גאָר נידעריק אַבזאָרפּשאַן קאָואַפישאַנט α <0.05 סענטימעטער-1 (ביי פּאָמפּע ווייוולענגטס 2.0-2.1 μm), וואָס קענען זיין גענוצט צו דזשענערייט מיטן ינפרערעד טונאַבאַל לאַזער מיט הויך עפעקטיווקייַט דורך OPO אָדער OPA פּראַסעסאַז.
AGSe(AgGaSe2) קריסטאַלז

AGSeAgGaSe2 קריסטאַלז האָבן באַנד עדזשאַז ביי 0.73 און 18 μם.זייַן נוציק טראַנסמיסיע קייט (0.9-16 μm) און ברייט פאַסע וואָס ריכטן פיייקייט צושטעלן ויסגעצייכנט פּאָטענציעל פֿאַר OPO אַפּלאַקיישאַנז ווען פּאַמפּט דורך אַ פאַרשיידנקייַט פון פאַרשידענע לייזערז.טונינג ין 2.5-12 μm איז באקומען ווען פּאַמפּינג דורך Ho:YLF לאַזער ביי 2.05 μm;ווי געזונט ווי ניט-קריטיש פאַסע מאַטטשינג (NCPM) אָפּעראַציע ין 1.9-5.5 μם ווען פּאַמפּינג ביי 1.4-1.55 μm.AgGaSe2 (AgGaSe2) איז דעמאַנסטרייטיד צו זיין אַ עפעקטיוו אָפטקייַט דאַבלינג קריסטאַל פֿאַר ינפרערעד CO2 לייזערז ראַדיאַציע.
AGS(AgGaS2) קריסטאַלז

AGS איז טראַנספּעראַנט פון 0.50 צו 13.2 μם.כאָטש זייַן ניט-לינעאַר אָפּטיש קאָואַפישאַנט איז די לאָואַסט צווישן די דערמאנט ינפרערעד קריסטאַלז, הויך קורץ ווייוולענגט דורכזעיקייַט עדזשאַז ביי 550 נם איז געניצט אין אָפּאָס פּאַמפּט דורך נד: יאַג לאַזער;אין פילע פאַרשידענע אָפטקייַט מיקסינג יקספּעראַמאַנץ מיט דייאָוד, Ti:Sapphire, Nd:YAG און IR פאַרב לייזערז קאַווערינג 3-12 μם קייט;אין דירעקט ינפרערעד קאָונטערמעזשער סיסטעמען, און פֿאַר שג פון CO2 לאַזער.דין אַגגאַס 2 (אַגס) קריסטאַל פּלאַטעס זענען פאָלקס פֿאַר אַלטראַשאָרט דויפעק דור אין מיטן יר קייט דורך חילוק אָפטקייַט דור ניצן NIR ווייוולענגט פּאַלסיז.
BGSe(BaGa4Se7) קריסטאַלז

הויך-קוואַליטעט קריסטאַלז פון BGSe (BaGa4Se7) איז די סעלענידע אַנאַלאָג פון די טשאַלקאָגענידע קאַמפּאַונד באַגאַ4ס7, וועמענס אַצענטריק אָרטהאָראָמביק סטרוקטור איז יידענאַפייד אין 1983 און די IR NLO ווירקונג איז געווען רעפּאָרטעד אין 2009, איז אַ ניי דעוועלאָפּעד IR NLO קריסטאַל.עס איז געווען באקומען דורך די Bridgman-Stockbarger טעכניק.דער קריסטאַל יגזיבאַץ הויך טראַנסמיטטאַנס איבער די ברייט קייט פון 0.47-18 μם, אַחוץ פֿאַר אַ אַבזאָרפּשאַן שפּיץ אַרום 15 μם.
BGGSe(BaGa2GeSe6) קריסטאַלז

די BaGa2GeSe6 קריסטאַל האט אַ הויך אָפּטיש שעדיקן שוועל (110 MW/cm2), אַ ברייט ספּעקטראַל דורכזעיקייַט קייט (פון 0.5 צו 18 μם) און אַ הויך נאָנלייןאַריטי (ד11 = 66 ± 15 pm / V), וואָס מאכט דעם קריסטאַל זייער אַטראַקטיוו פֿאַר אָפטקייַט קאַנווערזשאַן פון לאַזער ראַדיאַציע אין (אָדער ין) די מיטן יר קייט.