AGSe(AgGaSe2) קריסטאַלז
DIEN TECH צושטעלן AgGaSe2 (AGSe) קריסטאַלז האָבן באַנד עדזשאַז ביי 0.73 און 18 μm.זייַן נוציק טראַנסמיסיע קייט (0.9-16 μm) און ברייט פאַסע וואָס ריכטן פיייקייט צושטעלן ויסגעצייכנט פּאָטענציעל פֿאַר OPO אַפּלאַקיישאַנז ווען פּאַמפּט דורך אַ פאַרשיידנקייַט פון פאַרשידענע לייזערז.
AgGaSe2 (AGSe) קריסטאַלז טונינג ין 2.5-12 μm איז באקומען ווען פּאַמפּינג דורך Ho:YLF לאַזער ביי 2.05 μm;ווי געזונט ווי ניט-קריטיש פאַסע מאַטטשינג (NCPM) אָפּעראַציע ין 1.9-5.5 μם ווען פּאַמפּינג ביי 1.4-1.55 μm.
AgGaSe2 (AGSe) קריסטאַלז האָבן שוין דעמאַנסטרייטיד צו זיין אַ עפעקטיוו אָפטקייַט דאַבלינג קריסטאַל פֿאַר ינפרערעד CO2 לייזערז ראַדיאַציע.
אַפּפּליקאַטיאָנס פון AGSe:
• דור צווייטע האַרמאָניקס אויף CO און CO2 - לייזערז
• אָפּטיש פּאַראַמעטריק אַסאַלייטער
• פאַרשידענע אָפטקייַט גענעראַטאָר צו מיטל ינפרערעד מקומות אַרויף צו 18 אַם.
• אָפטקייַט מיקסינג אין די מיטל יר געגנט
נאָרמאַל קרייַז סעקשאַנז זענען 8 קס 8 מם, 5 קס 5 מם, קריסטאַל לענג קייט פון 1 צו 30 מם.מנהג סיזעס זענען אויך בנימצא אויף בעטן.
| יקערדיק פּראָפּערטיעס | |
| קריסטאַל סטרוקטור | טעטראַגאָנאַל |
| צעל פּאַראַמעטערס | אַ=5.992 Å, c=10.886 Å |
| מעלטינג פונט | 851 °C |
| געדיכטקייַט | 5.700 ג/קמ3 |
| מאָהס כאַרדנאַס | 3-3.5 |
| אַבזאָרפּשאַן קאָואַפישאַנט | <0.05 סענטימעטער-1 @ 1.064 μם <0.02 סענטימעטער-1 @ 10.6 μם |
| קאָרעוו דיעלעקטריק קעסיידערדיק @ 25 מהז | ε11s=10.5 ε11ט=12.0 |
| טערמאַל יקספּאַנשאַן קאָואַפישאַנט | ||C: -8.1 רענטגענ 10-6 / °C ⊥C: +19.8 רענטגענ 10-6 / °C |
| טערמאַל קאַנדאַקטיוואַטי | 1.0 W/M/°C |
| לינעאַר אָפּטיש פּראָפּערטיעס | ||
| דורכזעיקייַט קייט | 0.73-18.0 um | |
| רעפראַקטיווע ינדיסעס @ 1.064 um @ 5.300 um @ 10.60 um | ניט 2.7010 2.6134 2.5912 | נע 2.6792 2.5808 2.5579 |
| טערמאָ-אָפּטיק קאָואַפישאַנט | דנאָ/דט=15.0 רענטגענ 10-5/°C דנע/דט=15.0 רענטגענ 10-5/°C | |
| סעללמעיער יקווייזשאַנז (ʎ אין אַם) | נאָ2=4.6453+2.2057/(1-0.1879/ʎ2)+1.8577/(1-1600/ʎ2) נע2=5.2912+1.3970/(1-0.2845/ʎ2)+1.9282/(1-160)0 | |
| ניט-לינעאַר אָפּטיש פּראָפּערטיעס | |
| NLO קאָואַפישאַנץ @ 10.6 אַם | ד36=ד24=ד15=39.5 פּם/וו |
| לינעאַר עלעקטראָ-אָפּטיק קאָואַפישאַנץ | Y41T=4.5 PM/V Y63T=3.9 PM/V |
| שעדיקן שוועל @ ~ 10 נס, 1.064 אַם | 20-30 MW/cm2 (פלאַוער) |
| טעכניש פּראָפּערטיעס | |
| ויסמעסטונג טאָלעראַנץ | (וו +/-0.1 מם) רענטגענ (ה +/-0.1 מם) רענטגענ (ל + 1 מם/-0.5 מם) |
| קלאָר עפענונג | > 90% הויפט געגנט |
| פלאַטנאַס | λ/8 @ 633 נם פֿאַר T>=1 מם |
| ייבערפלאַך קוואַליטעט | קראַצן / גראָבן 60-40 נאָך קאָוטינג |
| פּאַראַלעליזם | בעסער ווי 30 קרייַזבויגן סעקונדעס |
| פּערפּענדיקולאַריטי | 10 קרייַזבויגן מינוט |
| אָרענטאַטיאָן אַקיעראַסי | <30'' |
| מאָדעל | פּראָדוקט | גרייס | אָריענטירונג | ייבערפלאַך | בארג | קוואַנטיטי |
| DE0139 | AGSe | 8*8*1.5מם | θ=53.1°φ=45° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 1 |
| DE0160 | AGSe | 5*5*1.5מם | θ=58.8°φ=0° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0161 | AGSe | 5*5*1.5מם | θ=52°φ=45° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 1 |
| DE0214 | AGSe | 8*8*12מם | θ=52°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0324 | AGSe | 5*5*2מם | θ=53.1°φ=45° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 1 |
| DE0324-2 | AGSe | 5*5*1מם | θ=53.3°φ=0° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0324-3 | AGSe | 5*5*1מם | θ=65°φ=0° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0372 | AGSe | 9.5 * 8 * 12 מם | θ=49°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | אַנמאָונטעד | 1 |
| DE0442 | AGSe | 6*6*1.6מם | θ=41.9°φ=45° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0464 | AGSe | 5*6*0.5מם | θ=45°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | אַנמאָונטעד | 3 |
| DE0464-1 | AGSe | 5*6*1מם | θ=45°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | אַנמאָונטעד | 2 |
| DE0464-2 | AGSe | 5*6*2מם | θ=51°φ=45° | AR/AR@1.7~2.8+6-14um | אַנמאָונטעד | 1 |
| DE0687 | AGSe | 5*5*1מם | θ=45°φ=45° | ביידע זייטן פּאַלישט | אַנמאָונטעד | 1 |
פּראָדוקטן קאַטעגאָריעס
-
טעלעפאָן
טעלעפאָן
-
בליצפּאָסט
בליצפּאָסט
-
ווהאַצאַפּפּ
ווהאַצאַפּפּ
-
וועטשאַט
וועטשאַט
-
אויבן
